赤外線導入加熱装置他　サーモ理工 | 株式会社アールデック

1.赤外線導入加熱装置	2.大気用赤外線導入加熱装置	3.下面加熱装置
大気側の赤外線発生部より、真空チャンバー内試験試料近傍に赤外線を導入、照射・昇温。超高真空中の試験試料の加熱に利用。	赤外線を円柱状先端より、試験試料に照射・昇温。回転・往復運動中や磁場中試料の加熱に利用。	真空チャンバー下部より、赤外線を試験試料に照射。昇温。X線照射中試料の加熱、昇温脱離分析用熱源に利用。
超高真空型　(GVH298)1400℃ 超高速昇温型(GVL298)1500℃	高温型(GA298)1500℃ 標準型(GA198)1300℃	赤外線導入加熱装置(GVB198) 1000℃～1300℃

4.小型赤外線導入加熱装置	5.磁場中試料加熱装置	6.石英管式赤外線真空炉
高真空中・ガス中・大気中の小面積試料の加熱に利用。真空用・大気用の2種類あり。	超電導電磁石のボア内壁を加熱することなく、試料のみを加熱・昇温。超電導電磁石内試料の加熱に利用。	透明石英管内試料に上下対面より赤外線を照射・昇温。透明材料や自由落下中試料の瞬間加熱に利用。
真空用(GV154)1100℃ 大気用(GA154)1100℃	小型赤外線導入加熱装置(GV154M)1000℃	赤外線真空炉(IVF198CV)1500℃

　　石英管式赤外線真空炉　ＩＶＦ298ＣＨ

卓上サイズで最高到達温度1700℃の超高温まで試料加熱が可能。
試料観察と加熱が同時に可能なため、高温熱処理中の試料をCCDカメラや顕微鏡で撮影が出来ます。

仕様
　最高到達温度　　1700℃
　最大昇温速度　　150℃/sec
　加熱容量　　　　φ15×10mm　真空・ガスフロー
　到達真空度　　　5×10^-3Pa
　所用電力　　　　200V 　20A (ヒーター用)
　　　　　　　　　100V 　5A 　(制御器用)

特長
　・赤外線ランプ加熱による、超高速昇温/クリーン加熱ができます。
　・上面と側面には観察窓が付いており、高温加熱処理中試料の観察ができます。
　・1700℃の高温を卓上サイズで、200V20Aの省電力を実現しました。
　・真空排気用NW25　熱電対用　ICF34　各1個/ガス導入用　1/4スウェージロック×2個　付

用途
　　金属の融解/ガラスの溶解/セラミックスの焼成/半導体材料の熱処理/昇温中試料の観察・撮影　　他

　　集光照射式赤外線真空炉　IVF298W

気側上部の赤外線発生部より真空チャンバー内試料に赤外線を
集光照射・昇温します。加熱ユニット・真空チャンバー・温度制御器で構成され、
真空排気装置(オプション)の接続で真空用にできます。

真空チャンバーには、6箇所の予備ポートがあり拡張性が高く、ガス雰囲気等の様々な実験に使用可能です。

　最高到達温度　　1500℃

　加熱面積　　　　～φ20mm
　到達真空度　　　5×10^-4Pa

　　石英管式赤外線真空炉　IVF298RV

透明石英管内試料に赤外線を集光照射・昇温します。
円筒状石英炉心管の採用により、ガスフロー中での試料加熱に最適です。

2KWで最高到達温度　1600℃の高効率を実現しました。
最高到達温度　　1600℃
加熱面積　　　　～φ20mm
到達真空度　　　5×10^-3Pa