ディテクタにより基板上の散乱光から半導体バンドギャップを
検出し、波長選択が可能な分光計（VIS又はNIR）を用い
室温から高温（1300℃程度）まで測定できます。
成長レートや膜厚の測定も可能です。
高温アプリケーションでは、ライトソースとして基板ヒーター
ステージそのものを使用するので、シングルポートのみ
必要です。低温アプリケーションでは、ライトソース用に
ポート１つ、ディテクタ用にもう１つポートが必要です。
MBEチャンバーでは通常パイロメーター用ポートと予備
ポートを使用します。MOCVD用には1ポートのみ使用します。
[メーカー]
k-Space
