kSA BandiT

ディテクタにより基板上の散乱光から半導体バンドギャップを検出し、波長選択が可能な分光計（VIS又はNIR）を用い室温から高温（1300℃程度）まで測定できます。
成長レートや膜厚の測定も可能です。

高温アプリケーションでは、ライトソースとして基板ヒーターステージそのものを使用するので、シングルポートのみ必要です。低温アプリケーションでは、ライトソース用にポート１つ、ディテクタ用にもう１つポートが必要です。
MBEチャンバーでは通常パイロメーター用ポートと予備ポートを使用します。MOCVD用には1ポートのみ使用します。